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产品信息
UnitedSiC 的第 4 代 750 V SiC FET 拥有业界佳的“品质因数”，适用于软开关和硬开关电源应用
UJ4SC075009K4S UJ4SC075011K4S UJ4C075023K3S
UJ4C075023K4S UJ4C075033K3S UJ4C075033K4S
UJ4C075044K4S UJ4C075018K3S UJ4C075018K4S
UJ4C075060K3S UJ4C075060K4S
UnitedSiC UJ4C 第 4 代 SiC FET 系列基于独特的共源共栅配置，额定电压为 750 V，同时具有出色的性能因数，可以降低传导损耗，并提高高速时的效率，同时提高整体成本效益。每个给定 RDS(on) 的开关性能和 Qrr 和 Eon 和 Eoff 损耗均得到了改善。此外，Eoss 和 Coss 的减少也降低了总损耗。这些器件可以用标准的 0 V 至 12 V 或 15 V 栅极驱动电压安全地驱动。真正的 5 V 阈值电压可保持良好的阈值噪声容限，并且与前几代产品一样，这些 SiC FET 可以在所有典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驱动电压下工作。它们还包括一个内置的 ESD 栅极保护夹。所有器件均获 AEC-Q101 。
特性
- 750 V
- 低 RDS(on)：18 mΩ 至 60 mΩ
- 关键性能指标可实现新一代高性能电源设计
- RDS(on) x 面积
- 以给定 RDS(on) 带来 Qrr 和 Eon/Eoff 损耗的改善
- 同时降低 Coss(er)/Eoss 和 Coss(tr)
- 5 V VTH、±20V VGS(max)、ESD 保护
- 标准（0 V 至 12 V）或 SiC FET 栅极驱动器（双极）
- 出色的反向恢复
- 低基体二极管
- 低栅极电荷
- TO247-3L 和 TO247-4L 行业标准封装
- 通过 AEC-Q101 标准鉴定
应用
- 汽车：车载充电器、DC/DC 转换器
- IT 基础设施：PFC、DC/DC 转换器
- 可再生能源：太阳能逆变器、能源储备